Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
IRF830
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Land:
USA
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| Identisch mit |
IRF830
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| Ähnliche |
Grenzwerte anders:
IRF820
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET, Enhancement mode;
Form/Case: TO-220 Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vd: 500 V; Id: 5 A; Pd: 74 W; Rds(on): 1.4 Ohm; tmax j: 150 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
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- - Manufacturers Literature
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IRF830
Günther Stabe † 19.8.20
Mehr...
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Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org
bestückt:2
Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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