Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
IRF9520
|
Land:
USA
|
|
| Identisch mit |
IRF9520
|
| Sockel |
Drahtenden
|
| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium P-Kanal HEXFET° Power MOS-FET, Enhancement mode;
Form/Case/Outline: TO-220 (IRF9520[N]) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vd: -100 V; Id: 6.8 A; Pd: 48 W; Rds(on): 0.48 Ω; tmax j: 175 °C.
Schneller Hochleistungs-Schalter -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
|
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 16 x 4 mm / 0.39 x 0.63 x 0.16 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers.
|
IRF9520: FA 12-96
Egon Strampe
|
IRF9520: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
|
|
|
Sammlung von
|
|
|
|
[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
|
|
|
