Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
IRF9530
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Land:
USA
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| Identisch mit |
IRF9530
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium P-Kanal HEXFET° Power MOS-FET, Enhancement mode;
Form/Case/Outline: TO-220 Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vd: -100 V; Id: 12 A; Pd: __ W; Rds(on): 0.2 Ω; tmax j: 175 °C.
Schneller Hochleistungs-Schalter -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 16 x 4 mm / 0.39 x 0.63 x 0.16 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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IRF9530: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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