Material/Aufbau/Pol.: Silizium P-Kanal HEXFET° Power MOS-FET, Enhancement mode; Form/Case/Outline: TO-220 Anschlussfolge GDS; Daten/electr.data: Vd: -100 V; Id: 23 A; Pd: 140 W; Rds(on): 0.117 Ω; tmax j: 175 °C. Schneller Hochleistungs-Schalter -