Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
IRFB4710
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Land:
USA
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| Identisch mit |
IRFB4710
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| Sockel |
Drahtenden
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| Anwender |
Radio/TV-Empfang etc. |
| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET, Enhancement mode;
Form/Case: TO-220 Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vdss: 100 V; Id: 75 A; Vgs: +/- 20 V; Rds(on): 0.014 Ohm; Pd: 200 W; tmax j: 175 °C.
Variante: IRFSL4710 = TO-262, IRFS4710 = D²PAK -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
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- - Manufacturers Literature
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IRFB4710
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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