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IRFBG30

Information - Hilfe 
ID = 53273
       
Land:
USA
Marke: International Rectifier; Los Angeles
Typ:  Transistor   Stromversorgung 
Identisch mit IRFBG30
Sockel Drahtenden
Beschreibung Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET, Enhancement mode;
Form/Case: TO-220 Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vd: 1000 V; Id: 3.1 A; Vgs: +/- 20 V; Rds(on): 5 Ohm; Pd: 125 W; tmax: 150 °C.
Same type: SiHFBG30 (Vishay) - 
Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli		 10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch
Gewicht 2 g / 0.07 oz
Literatur - - -   
- - Manufacturers Literature   Vishay
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to220_ttt_177.gif IRFBG30
Günther Stabe † 19.8.20

Sammlung von

Egon Strampe (D)
 
irfbg30.jpg

 
[rmxtube-ge, noindex]
  
Datenkonformität Mehr Informationen