Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
IRFD100
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Land:
USA
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| Identisch mit |
IRFD100
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: P-Kanal Power HexFet° MOSFET;
Form/Case: HD-1 (Hex-Dip 1+2 Pins);
Daten/electr.data: N: __ W; Id max: -__ A; Vdss: -__ V; Vgs: +/- 20 V; Rds(on): __ Ohm; tmax j: 175 °C;
(no data available yet) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 7 x 8 mm / 0.20 x 0.28 x 0.31 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
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-- Collector info (Sammler)
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IRFD100: IR
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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