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IRFD110

Information - Hilfe 
ID = 53340
       
Land:
USA
Marke: International Rectifier; Los Angeles
Typ:  Transistor   Stromversorgung 
Identisch mit IRFD110
Sockel Drahtenden
Beschreibung Material/Aufbau/Pol.: N-Kanal MOSFET;
Form/Case: HD-1 (Hex-Dip 1+2 Pins);
Daten/electr.data: N: 1 W; Id max: 1 A; Vdss: 100 V; Vgs: +/- 20 V; Rds(on): 0.6 Ohm; tmax j: 150 °C;
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Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli		 5 x 7 x 8 mm / 0.20 x 0.28 x 0.31 inch
Gewicht 1 g / 0.04 oz
Literatur - - -   
- - Manufacturers Literature   InterSil
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hd1_2.png IRFD110: IR
Günther Stabe † 19.8.20

Sammlung von

Egon Strampe (D)
 
irfd110.jpg

 
[rmxtube-ge, noindex]
  
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