Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
IRFD9120
Land:
USA
|
|
Identisch mit |
IRFD9120
|
Sockel |
Drahtenden
|
Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: P-Kanal MOSFET;
Form/Case: HD-1 (Hex-Dip 1+2 Pins);
Daten/electr.data: N: 1.3 W; Id max: -1 A; Vdss: -100 V; Vgs: +/- 20 V; Rds(on): <0.6 Ohm; tmax j: 150 °C;
Identisch mit SiHFD9120 -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
|
Abmessungen (BHT) inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 7 x 8 mm / 0.20 x 0.28 x 0.31 inch |
Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
Literatur |
- - Manufacturers Literature Vishay
|
|
IRFD9120: IR
Günther Stabe † 19.8.20
|
|
|
Sammlung von
|
|
|
|
[rmxtube-ge, noindex]
Datenkonformität |
Mehr Informationen |
|
|