Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
IRFIBC30G
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Land:
USA
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| Identisch mit |
IRFIBC30G
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET, Enhancement mode;
Form/Case/Outline: TO-220-Iso Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vd: 600 V; Id: 2.5 A (pulsed: 10 A); Vgs: +/- 20 V; Vgs(th): 2...4 V; Idss: <100 µA; Igss: <0.1 µA; Pd: 35 W; Rds(on): <2.2 Ω; td(on): 11 ns; tmax j: 150 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 16 x 5 mm / 0.39 x 0.63 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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IRFIBC30G: IR
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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