Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
IRFM214
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Land:
USA
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| Identisch mit |
IRFM214
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Medium Power MOS-FET;
Form/Case/Outline: SOT-223 (IRFM214B) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vdss: 250 V; Vgs(th): 2...4 V; Id: 0.64 A; Idss: <10 µA; Pd: 2.1 W; Rds(on): 2 Ω; tmax j: 150 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
7 x 2 x 7 mm / 0.28 x 0.08 x 0.28 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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IRFM214: Fairchild
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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