Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
IRFP251
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Land:
USA
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| Identisch mit |
IRFP251
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| Ähnliche |
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
IRFP253
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power HEXFET° MOS-FET;
Form/Case: TO-247 Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vdss: 150 V; Id: 33 A; Pd: 214 W; Rds(on): 0.085 Ohm; tmax j: 175 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
16 x 20 x 5 mm / 0.63 x 0.79 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
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- - Manufacturers Literature
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IRFP251: IR
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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