Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
IRFPC42R
Land:
USA
|
|
Identisch mit |
IRFPC42R
|
Sockel |
Drahtenden
|
Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power HEXFET° MOS-FET;
Form/Case: TO-247 Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vdss: 600 V; Vgs: +/- 20 V; Id: 5.9 A; Pd: 150 W; Rds(on): 1.2 Ohm; tmax j: 150 °C. -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
|
Abmessungen (BHT) inkl. Stifte/Spitzli |
16 x 20 x 5 mm / 0.63 x 0.79 x 0.20 inch |
Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
Literatur |
- - -
- - Manufacturers Literature
- - -
- - -
|
|
IRFPC42R: IR
Günther Stabe † 19.8.20
|
|
|
Sammlung von
|
|
|
|
[rmxtube-ge, noindex]
Datenkonformität |
Mehr Informationen |
|
|