Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
IRFPC60
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Land:
USA
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| Identisch mit |
IRFPC60
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET;
Form/Case: TO-247 Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vdss: 600 V; Id: 16 A; Pd: 280 W; Rds(on): 0.40 Ohm;
Tj: -55 ...150 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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| Literatur |
- - Manufacturers Literature VISHAY
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IRFPC60: Peter Pfeiffer
Peter Pfeiffer
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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