Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
IRFU110
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Land:
USA
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| Identisch mit |
IRFU110
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET, Enhancement mode;
Form/Case/Outline: TO-252 / D-PAK Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vdss: 100 V; Id: 4.7 A; Vgs: +/- 20 V; Rds(on): 0.54 Ω; Pd: 30 W; tmax j: 175 °C.
Variante: IRFR110 = TO-251 / I-PAK;
base types: FU110 / FR110 (ex TA17441)
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature Fairchild
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IRFU110: Fairchild
Günther Stabe † 19.8.20
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IRFU110: Fairchild
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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