Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
IRFS640
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Land:
USA
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| Identisch mit |
IRFS640
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| Ähnliche |
Grenzwerte anders:
IRFS641
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET, Enhancement mode, Avalanche rugged;
Form/Case: TO-220F (isolated) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vdss: 200 V; Id: 9.8 A; Pd: 40 W; Rds(on): 0.18 Ohm; tmax j: 150 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature Samsung
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IRFS640: Fairchild
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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