Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
IRFZ30
|
Land:
USA
|
|
| Identisch mit |
IRFZ30
|
| Sockel |
Drahtenden
|
| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: N-Kanal Power HexFet° MOSFET;
Form/Case/Outline: TO-220 Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: N: 75 W; Id max: 30 A; Idss: <1 mA; Igss: <100nA; Vdss: 50 V; Vgs: +/- 20 V; Rds(on): 0.05 Ω; tmax j: 150 °C.
-
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
|
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 4 mm / 0.39 x 0.59 x 0.16 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
|
|
IRFZ30
Günther Stabe † 19.8.20
|
|
|
Sammlung von
|
|
|
|
[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
|
|
|
