Material/Aufbau: Silizium N-Kanal Power MOS-FET, Enhancement Mode, fully Avalanche rated; Form/Case/Outline: TO-220 (IRL3705Z) | TO-263 | D²PAK Anschlussfolge GDS; Daten/electr.data: Vdss: 55 V; Id: 75 A; Rds(on): 0.008 Ω; Pd: 170 W; tmax j: 175 °C.Variante: IRL3705N = Id: 89 A; Rds(on): 0.12 Ω; Schneller Schalter -