Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
IRLR024N
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Land:
USA
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| Identisch mit |
IRLR024N
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium N-Kanal HEXFET° Power MOS-FET, Enhancement Mode;
Form/Case/Outline: TO-252 / DPAK | IPAK (IRLU024N) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vdss: 55 V; Id: 17 A; Vgs(th): 1...2 V; Idss: <25 µA; td(on): 7.1 ns; Rds(on): 0.065 Ω; Pd: 45 W; tmax j: 175 °C.
Schneller Schalter
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
7 x 7 x 3 mm / 0.28 x 0.28 x 0.12 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature IR
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IRLR024N: IR
Günther Stabe † 19.8.20
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IRLR024N: IR
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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