Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
J111
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Land:
USA
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| Identisch mit |
J111
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| Ähnliche |
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
PF5102
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium N-Kanal-Sperrschicht-FET;
Form/Case/Outline: TO-92 Anschlussfolge GSD | SOT-23-3 (MMBFJ111);
Daten/electr.data: Igf max: 50 mA; Igss: <1 nA; Vgs(off): <10 V; ß (beta): __; N: 350 mW; Idss: >20 mA; Vbr: 35 V; Rds(on): 30 Ω; tmax j: 150 °C;
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 5 x 4 mm / 0.20 x 0.20 x 0.16 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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J111: TVT 1969 Verlag Nolde Dachau
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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