Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
JCS2N65
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Land:
Volksrepublik China
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| Identisch mit |
JCS2N65
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: N-Kanal Power MOSFET, Enhancement mode;
Form/Case/Outline: TO-220_Iso (JCS2N65F) | TO-220 (FCS2N65C) | TO-126 (FCS2N65M) | IPAK (FCS2N54V) | DPAK (FCS2N65R) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: N: 54 W; Id max: 2 A; Idm: 6 A; Idss: <10 µA; Igss: <100 nA; Vgs(th): 2...4 V; Vdss: 650 V; Vgs: +/- 30 V; Rds(on): <5.0 Ω; td(on): <50 ns; tmax j: 150 °C.
Manufactured by Jilin Sino-Microelectronics (PRoC)
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 16 x 4 mm / 0.39 x 0.63 x 0.16 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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JCS2N65: Jilin Sino
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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