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K6T1008C2E

Information - Hilfe 
ID = 87372
       
Land:
Südkorea
Marke: Common type South Korea tube/semicond.
Typ:  IC - Integrated Circuit 
Identisch mit K6T1008C2E
Sockel Halbleiter-Gehäuse
Beschreibung

Aufbau/Content: IC (CMOS LSI);
Form/Case/Outline: DIP32 | SOP-32 | TSOP32 | TSOP-32 (Reverse);
Applikation/Type: 128k x 8Bit Low Power SRAM (static);
Daten/electr.data: VCC: 4.5...5.5V; Data Retension Voltage: 2V; TOP: 0...70°C (L, B), TOP: -40...85°C (P, F).
Manufactured by Samsung -

 
Literatur -- Original-techn. papers.   Samsung
k6t1008c2.png
K6T1008C2E: Peter Pfeiffer
Peter Pfeiffer

Sammlung von

Peter Pfeiffer (D)
 
k6t1008c2e.jpg

 
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