Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
KSB546
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Land:
Südkorea
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| Identisch mit |
KSB546
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| Ähnliche |
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
2SB546
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial PNP;
Form/Case/Outline: TO-220 Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 400 mA; U S: <1.0 V; Isp: <50 µA; ß (beta): 40-240*; N: 25 W; Imax(Ic): 2 A; Umax(Ucb): -200 V; Umax(Uce): -150 V; f g(FT): 5 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: KSD401.
Varianten: KSB546-Y = 120-240*, KSB546-O = 70-140*, KSB546-R = 40-80* (beta/hfe-Gruppen);
Manufactured by SEC - Samsung (S-Korea)
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature Samsung
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Sammlung von
Sammlung von Mitglied aus D |
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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