Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
KSC2316
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Land:
Südkorea
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| Identisch mit |
KSC2316
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial NPN;
Form/Case: TO-92-L Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 50 mA; U S: <1.0 V; Isp: <0.1 µA; ß (beta): 80-240*; N: 900 mW; Imax(Ic): 800 mA; Umax(Ucb): 120 V; Umax(Uce): 120 V; f g(FT): 120 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: KSA916.
Varianten: KSC2316-O = 70-140*, KSC2316-Y= 120-240*, (beta/hfe-Gruppen);
Manufactured by Samsung -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 9 x 4 mm / 0.20 x 0.35 x 0.16 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
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- - Manufacturers Literature Fairchild
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KSC2316
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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