Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
KSH210
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Land:
Südkorea
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| Identisch mit |
KSH210
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial PNP;
Form/Case/Outline: TO-252 / D-PAK | TO-251 / I-PAK (KSH210-I) Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 1 A; U F: (-8) V; U S: <0.75 V; Isp: <0.1 µA; ß (beta): 45-180; Pd: 12.5 W; Imax(Ic): 5 A; Umax(Ucb): -40 V; Umax(Uce): -25 V; f g(FT): >65 MHz; tmax j: 150 °C;
Manufactured by Samsung (RoK)
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
6 x 7 x 2 mm / 0.24 x 0.28 x 0.08 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers. Fairchild
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KSH210: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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