Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
MFE120S
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Land:
USA
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| Identisch mit |
MFE120S
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| Ähnliche |
Sockel anders, elektr. Daten leicht and:
BF960
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Dual Gate N-Kanal-MOS-FET, Verarmungstyp;
Form/Case: TO-72 Anschlussfolge D-G2-G1-S | TO-206;
Daten/electr.data: Id: 30 mA; Idss: 2...18 mA; I gss: <20 nA; Vgss: 20 V; Igss: <1 nA; hfe: 8-18; N: 300 mW; Vdss: 25 V; Vgs(off): <4.0 V; f g (FT): __ MHz; C iss: <7.0 pF; tmax j: 125 °C; g(fs) Trans. conduct.: 8...18 ms @V(DS) Test Condition=15 V;
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
6 x 6 x 6 mm / 0.24 x 0.24 x 0.24 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
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MFE120S: funkschau 8/78
Egon Strampe
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MFE120S: TVT 73
Günther Stabe † 19.8.20
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Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org
bestückt:4
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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