Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
MIE-144A4
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Land:
Taiwan (Republic of China)
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| Identisch mit |
MIE-144A4
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Content/Material: AlGaAs/GaAs High Power Side Look Package Infrared Emitting Diode, 940 nm;
Form/Case/Outline: clear molded lense side looking, 2 pins;
Daten/electr.data: Ur max: 5 V, If max: 50 mA, Ifm max: 1 A, Pd: 75 mW, t op: -55...100 °C;
Matching Photo Transistor: MID-11422
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
4 x 4 x 2 mm / 0.16 x 0.16 x 0.08 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature Unity Opto Technology Co. Ltd.
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MIE-144A4: UNi
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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