Material/Aufbau/Pol.: N-Kanal TMOS Power FET; Form/Case/Outline: DPAK Anschlussfolge GDS; Daten/electr.data: Pd: 20 W; Id max: 5 A; Vdss: 50 V; Vgs: +/- 20 V; Rds(on): 0.4 Ω; tmax j: 150 °C. -