Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
MTP50N05
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Land:
USA
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| Identisch mit |
MTP50N05
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power FET Enhancement Mode;
Form/Case: TO-220 Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vdss: 50 V; Id: 50 A; Pd: __ W; tmax j: 150 °C.
High speed power switching, switching regulators, Converters, solenoid and relay drivers. -
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Abmessungen (BHT) inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
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MTP50N05
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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