Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
NA11
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Land:
USA
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| Identisch mit |
NA11
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar NPN;
Form/Case: TO-92 Anschlussfolge CBE (?);
Daten/electr.data: I F: 100 mA; U S: 0.5 V; Isp: 1 µA; ß (beta): 30-350*; N: 750 mW; Imax(Ic): 400 mA; Umax(Uce): 20 V; f g(FT): >50 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: NA12.
Suffix -G = 68-110*, H = 100-160*, I = 140-240*, X = 30-110*, Y = 100-350* (beta/hfe-Gruppen);
Manufactured by National Semiconductor Corp. -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 5 x 4 mm / 0.20 x 0.20 x 0.16 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
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- - Manufacturers Literature NSC
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NA11: National Semiconductor 1978
Heinz Höger
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NA11: TVT 1969 Verlag Nolde Dachau
Günther Stabe † 19.8.20
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NA11: National Semiconductor 1978
Heinz Höger
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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