Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
NDP6060
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Land:
USA
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| Identisch mit |
NDP6060
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silicon N-Channel MOS FET;
Form/Case/Outline: TO-220;
Daten/electr.data: VDS: 60V; ID: 48A; RDS(on): <0.025mΩ (@VGS=10V); Tj: 175°C;
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| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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NDP6060: Datasheet
Egon Strampe
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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