Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
NTB18N06L
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Land:
USA
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| Identisch mit |
NTB18N06L
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET, Logic Level;
Form/Case/Outline: TO-220 (NTP18L06L[G]) | D²PAK (NTB18N06L[G]) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vgs: +/- 10 V; Idss: <1 µA; Igss: <100 nA; Vgs(th): 1...2 V; Pd: 48.4 W; Id: 15 A; Vdss: 60 V; Rds(on): 0.1 Ω; tmax j: 175 °C.
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 3 mm / 0.39 x 0.59 x 0.12 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature ON Semiconductor
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NTB18N06L: ON
Günther Stabe † 19.8.20
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NTB18N06L: ON
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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