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OC822

Information - Hilfe 
ID = 35089
       
Land:
Deutschland / Germany
Marke: Halbleiterwerk Frankfurt /Oder, VEB, (HFO); Frankfurt /Oder (Ostd.)
Entwickler: Werk für Bauelemente der Nachrichtentechnik (WBN), Teltow, VEB, RFT (Ostd.) - vorm. DRALOWID 
Typ:  Transistor   Niederfrequenz 
Identisch mit OC822
Ähnliche
Bauform anders (z.B. Art des Kolbens):
  GC122
Erste Quelle(n)
Mar.1958 : -- Collector info (Sammler)
Nachfolger OC828   GC122  
Sockel Drahtenden
Beschreibung Material/Aufbau/Pol.: Germanium Fläche PNP;
Form/Case: TO-22;
Daten/electr.data: I F: 2 mA; U F: 6 V; Isp: 15 µA; ß (beta): __; N: 150 mW; Imax(Ic): 250 mA; Umax(Uce): -30 V; f g(FT): 0.3 MHz; tmax: 75 °C.
Später in HWF (Halbleiterwerk Frankfurt/Oder) gebaut. 
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli		 10 x 10 x 5 mm / 0.39 x 0.39 x 0.20 inch
Gewicht 2 g / 0.07 oz
Literatur -- Collector info (Sammler)   KTT 1969/70
oc822.gif
OC822: Radio und Fernsehen 19 / 1962
Egon Strampe
ju_s_6.gif OC822: KTT 1969/70
Günther Stabe † 19.8.20
Verwendung in Modellen 1= 1961
Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org bestückt:1

Sammlung von

Karl-Heinz Entrich † 7.21 (D)
Helmut Matysik (D)
Peter Pfeiffer (D)
Klaus-Ditmar Voigt (D)
 
d_hwf_oc822.jpg

OC822
 
[rmxtube-ge, noindex]
  
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