Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
P0903BD
|
Land:
Taiwan (Republic of China)
|
|
| Identisch mit |
P0903BD
|
| Sockel |
Drahtenden
|
| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silicon N-channel Power MOS-FET
Form/Case/Outline: SO
Daten/electr.data: Vds: 30 V; Vgs: +/-20 V; Id:57 A; Rds(on): 9 mΩ (@Vgs:10V); Pd: 49 W; Tj: -55°C ... 150°C.
-
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
|
| Literatur |
- - Manufacturers Literature NIKO-SEM
|
|
|
|
|
P0903BD: Datasheet
Egon Strampe
|
|
|
|
|
[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
|
|
|
