Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
P5506BDG
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Land:
Taiwan (Republic of China)
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| Identisch mit |
P5506BDG
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Logic Level MOS-FET Anreicherungstyp / Enhancement Mode;
Form/Case/Outline: TO-252 Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vd: 60 V; Id: 60 A; Vgss: +/- 20 V; Idss: <10 µA; Igss: <0.25 µA; Vgs(th): 1 ... 2.5 V; Pd: 32 W; Rds(on): <0.055 Ω; tmax op: 150 °C.
Manufactured by Niko Semiconductor Co., Ltd., Taipeh (TW)
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
7 x 7 x 2 mm / 0.28 x 0.28 x 0.08 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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P5506BDG: NIKO-SEM
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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