Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
PFR30V30
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Land:
Taiwan (Republic of China)
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| Identisch mit |
PFR30V30
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium MOS Schottky Doppel-Diode, Ultra-Low-Forward Voltage Drop;
Form/Case/Outline: TO-220 (PFR30V30CT) | TO-220-Iso (PFR30V30CTF) | TO-263 (PFR30V30CTI) | TO-263 (PFR30V30CTB) Anschlussfolge A1-K1/K2-A2;
Daten/electr.data: Io: 2 x 15 A; Ifsm: 280 A; Irrm: 2 A; Vf: 0.34 V; Vrrm: 30 V; tmax j: 150 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 4 mm / 0.39 x 0.59 x 0.16 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
-- Collector info (Sammler) PFC Device Corp.
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PFR30V30: PFC
Günther Stabe † 19.8.20
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PFR30V30: PFC
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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