Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
PFS5V45
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Land:
Taiwan (Republic of China)
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| Identisch mit |
PFS5V45
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: MOS Schottky Barrier-Diode;
Form/Case/Outline: DO-201;
Daten/electr.data: Io: 5 A; Ifsm: 200 A; Vf: 0.38 V; Ir: 0.5 mA; Vrr: 45 V; tmax j: 150 °C.
Manufactured by PFC Device Corporation
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 10 x mm / 0.20 x 0.39 x inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature PFC Device Corporation
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PFS5V45: Diodes Inc.
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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