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RD9.1EB1

Information - Hilfe 
ID = 80990
       
Land:
Japan
Marke: NEC Corporation, Nippon Electric Co. Ltd. (Nippon Denki); Tokyo
Typ:  Halbleiter-Diode   Stromversorgung 
Identisch mit RD9.1EB1

Sockel Drahtenden
Beschreibung

Material/Aufbau/Pol.: Silizium Zener-Diode;
Form/Case/Outline: ~ DO-7;
Daten/electr.data: I F: __ mA, U F: __ V, Isp: __ µA, N: 1 W, Imax z: __ mA, U z: 9.1 V, tmax j: 150 °C.
-

 
Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli
5 x 3 x mm / 0.20 x 0.12 x inch
Gewicht 1 g / 0.04 oz
Literatur -- Schematic   

Verwendung in Modellen 2= 1982??

Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org bestückt:2
 

[rmxtube-ge, noindex]
  

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