Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
RFP15P05
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Land:
USA
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| Identisch mit |
RFP15P05
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium P-Kanal Power MOS-FET, Anreicherungstyp;
Form/Case: TO-220 (RFP15P05) | TO-251 (RFD15P05) | TO-252 (RFD15P05SM) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: V dss: -50 V; Vgs: +/- 20 V; Id: 15 A; Idss: <1 µA; Pd: 80 W; Rds(on): <0.15 Ohm; tmax j: 175 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature Harris
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RFP15P05: TTT 1981 Steidle
Günther Stabe † 19.8.20
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RFP15P05: Harris
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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