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RFP2N20L

Information - Hilfe 
ID = 61148
       
Land:
USA
Marke: Fairchild Semiconductor Inc., South Portland/Maine
Typ:  Transistor   Stromversorgung 
Identisch mit RFP2N20L
Sockel Drahtenden
Beschreibung

Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET Enhancement Mode;
Form/Case: TO-220 Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vdss: 200 V; Vhs: +/- 10 V; Vgs(th): 1...2 V; Id: 2 A (pulse: 4 A); Idss: <1 µA; Igss: <100 nA; Rds(on): 3.5 Ω; Pd: 25 W; td(on): 10 ns; tmax j: 150 °C.
Manufactured also by Harris, ... -

 
Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli		 10 x 16 x 4 mm / 0.39 x 0.63 x 0.16 inch
Gewicht 2 g / 0.07 oz
Literatur - - Manufacturers Literature   
rfp2n20l_umgeb1.png
RFP2N20L: Fairchild
Günther Stabe † 19.8.20
to_220_ttt~~169.gif RFP2N20L: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
rfp2n20l_innen.png
RFP2N20L: Fairchild
Günther Stabe † 19.8.20

Sammlung von

Egon Strampe (D)
 
rfp2n20.jpg

 
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