Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
RFP6P10
|
Land:
USA
|
|
| Identisch mit |
RFP6P10
|
| Sockel |
Drahtenden
|
| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium P-Kanal Power MOS-FET, Anreicherungstyp;
Form/Case/Outline: TO-220 (RFP8P10) | TO-251 (RFD8P10) | TO-252 (RFD8P10SM) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: V dss: -100 V; Vgs(th): -2...-4 V; Id: 6 A; Idss: <1 µA; Igss: <100 nA; Pd: 60 W; trr: 150 µs; Rds(on): <0.6 Ω; tmax j: 175 °C.
-
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
|
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature Harris
|
|
RFP6P10: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
|
|
|
Sammlung von
|
|
|
|
[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
|
|
|
