Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
RFP8P10
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Land:
USA
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| Identisch mit |
RFP8P10
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium P-Kanal Power MOS-FET, Anreicherungstyp;
Form/Case/Outline: TO-220 (RFP8P10) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: V dss: -100 V; Vgs(th): -2...-4 V; Id: 8 A; Idss: <1 µA; Igss: <100 nA; Pd: 75 W; trr: <150 µs; Rds(on): <0.4 Ω; tmax j: 175 °C.
Variante: RFM8P10 = TO-3, 100 W;
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature Harris
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RFP8P10: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
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