Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
RG3G
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Land:
USA
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| Identisch mit |
RG3G
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Schnelle Schaltdiode;
Form/Case/Outline: (G3);
Daten/electr.data: I F(av): 3 A; U F: 1.3 V; Isp: 5 µA; Usp: 280 V; Pd: __ W; Umax: 400 V*; f g(FT): __ MHz; trr: 150 ns; tmax j: 175 °C.
Varianten: RG3A...RG3M = 50...1000 V*;
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
8 x 8 x 8 mm / 0.31 x 0.31 x 0.31 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers. General Semiconductor
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RG3G: GS
Günther Stabe † 19.8.20
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RG3G: General Semiconductor Datenblätter
Reinhard Keins
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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