Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
S16D40
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Land:
Taiwan (Republic of China)
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| Identisch mit |
S16D40
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| Ähnliche |
Sockel anders, elektr. Daten leicht and:
S16S40
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium 2-fach Schottky Barrier-Diode;
Form/Case/Outline: TO-3P (S16D40x* - Anschlussfolge s. Innenbeschaltungen);
Daten/electr.data: Io: 2 x 8 A; Ifsm: 250 A; Vf: 0.55 V; Ir: 1 mA; Vrrm: 40 V; tmax j: 150 °C.
Varianten: x*: Suffix C = common Cathode, A = common Anode, D = series connection / Double;
Family: S16D30 / S16D35 / S16D40 / S16D45 / S16D50 / S16D60 = 30...60 V (Vrrm);
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
16 x 23 x 5 mm / 0.63 x 0.91 x 0.20 inch |
| Gewicht |
6 g / 0.21 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature WTE / Mospec
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S16D40: WTE
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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