Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
S20C45
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Land:
Taiwan (Republic of China)
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| Identisch mit |
S20C45
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Schottky Barrier Doppel-Diode;
Form/Case/Outline: TO-220 (S20C45C) Anschlussfolge A1-K1/K2-A2;
Daten/electr.data: Io: 20 A; Ifsm: 200 A; Vfm: <0.7 V; Vrrm/Vdc: 45 V*; tmax j: 150 °C.
Family: S20C30C...S20C60C = 30...60 V* - Manufactured by Mospec Semiconductor (Taiwan) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 16 x 4 mm / 0.39 x 0.63 x 0.16 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature MOSPEC
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S20C45: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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