Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
SB640
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Land:
Volksrepublik China
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| Identisch mit |
SB640
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Schottky Barrier Dioden;
Form/Case/Outline: TO-220 (SB640CT) Anschlussfolge A1-K1/K2-A2;
Daten/electr.data: I out: 6 A; Vf: <0.7 V; Irrm: <15 mA; Pd: __ W; Ifsm: 75 A; Vrrm: 40 V; tmax j: 125 °C.
Manufactured by Panjit Semiconductor International, Won-Top Electronics, ...
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 4 mm / 0.39 x 0.59 x 0.16 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers. Panjit
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SB640: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org
bestückt:2
Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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