Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
SBL1060
|
Land:
USA
|
|
| Identisch mit |
SBL1060
|
| Sockel |
Drahtenden
|
| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Schottky Barrier-Dioden;
Form/Case/Outline: TO-220 (SBL1060CT) Anschlussfolge A1-K1/K2-A2;
Daten/electr.data: Io: 5 A per Element, total 10 A; Ifsm: 250 A; Vfm: 0.75 V; Vrrm: 60 V; tmax j: 150 °C.
-
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
|
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 4 mm / 0.39 x 0.59 x 0.16 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature DIODES Inc.
|
|
SBL1060: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
|
|
|
Sammlung von
|
|
|
|
[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
|
|
|
