Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
SFAF504G
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Land:
Taiwan (Republic of China)
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| Identisch mit |
SFAF504G
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Diode;
Form/Case/Outline: TO-220-Iso Anschlussfolge K-A *;
Daten/electr.data: I F(av): 5 A, U F: 0.975 V, Isp: 10 µA, N: __ W, I Fsm: 125 A, Vrrm: 200 V, Vrms: 140 V, t j: -65...+150 °C.
Variante: SFAF504GR = reverse pinning A-K *)
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 16 x 5 mm / 0.39 x 0.63 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature TSC - Taiwan Semiconductor Corp.
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SFAF504G: TSC
Günther Stabe † 19.8.20
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SFAF504G: TSC
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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