Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
SSP7N80A
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Land:
Südkorea
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| Identisch mit |
SSP7N80A
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET, Enhancement Mode;
Form/Case/Outline: TO-220 Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vdss: 800 V; Id: 7 A; Vgs: +/- 30 V; Igss: <100 nA; Vgs(th): 2... 3.5 V; Idss: <250 µA; Pd: 160 W; Rds(on): <1.8 Ω; tmax j: 150 °C.
Manufactured by Samsung (for Fairchild) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers. Fairchild
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SSP7N80A: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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