Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
ST8550
| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial Planar PNP;
Form/Case/Outline: TO-92-[L] Anschlussfolge CBE;
Daten/electr.data: I F: 80 mA; U F: (-6) V; U S: <1.2 V; Isp: <0.1 µA; ß (beta): 45-300*; N: 1 W; Imax(Ic): 1.5 A; Umax(Ucb): -40 V; Umax(Uce): -25 V; f g(FT): >120 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: ST8050.
Varianten: ST8550-C = 100-200*, ST8550-D = 160-300* (hfe/beta-Gruppen).
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 8 x 4 mm / 0.20 x 0.31 x 0.16 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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ST8550: TVT 1969 Verlag Nolde Dachau
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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